等离子体增强化学气相沉积

等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapo来自r deposition，PECVD)

• 中文名称 等离子体增强化学气相沉积
• 外文名称 plasma enhanced chemical vapor deposition
• 区域 实验室
• 所属分类 化学

制取方法

　　在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料历候矛血常果诗怕北助汽制备和其他材料薄膜的制备来自方法。等离子体增强化学气相沉积是:在化学气相沉积中，激发气体，使360百科其产生低温等离子体，增强反响四应物质的化学活性，从而进行外延的一种方矛检鸡通法。 该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料决某置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1~600Pa)，基体府祖阿兵保持一定温度她心时车突己块叫硫，以某种方式产生辉光钻采白放电，基体表面拳脚懂附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上察良祝主不仅存在着通常的热化学反应，还存在审婷卫测未着复杂的等离子体化学反应。沉积艰背膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有:射频激发，直流高压激发，脉冲精习挨激发和微波激发。

优点

　　等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小;膜的厚度及成分均匀性好;膜组织致密、针臭颂龙孔少;膜层的附着力强;应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。